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Mobile DDR（也称MDDR、Low Power DDR或LPDDR）是DDR SDRAM的一種，專門用於移動式電子產品，例如手机等。

DDR内存从DDR、DDR2、DDR3发展到DDR4，频率更高、电压更低的同时卻也讓反應時間不断变大，改变着内存子系统。而DDR4最重要的使命是提高频率和带宽，每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，拥有高达4266MHz的频率，内存容量最大可达到128GB，运行电压正常可降低到1.1V~1.2V。

相对于DDR内存,MDDR具有低功耗、高可靠性的特点，目前韩国三星与美光科技（Micron Technology）掌握该项技术。Apple iPad, Samsung Galaxy Tab 以及 Motorola Droid X都使用LPDDR^[1]。

MDDR的运行电压（工作电压）相比DDR的标准电压要低，从第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的带宽，输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，电压降到了1.1V。至于最新的LPDDR4X，与LPDDR4相同，只是通过将I / O电压降低到0.6 V而不是1.1 V来节省额外的功耗，也就是更省电。

LPDDR2

一个新的JEDEC标准JESD209-2F定义了low-power DDR介面标准。它与DDR1或DDR2 SDRAM并不兼容，但类似：

• LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1)，


• LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2)，或


• LPDDR2-N: 非易失性（NAND）内存。

低功耗狀態基本相似，LPDDR，一些額外的部分陣列更新選項。

列位址（Column address）C0 bit從未轉讓，並假定為零。 突發傳輸（Burst transfers）從而始終在偶數地址開始。

LPDDR2也有一個低電平有效的chip select（高時，一切都是NOP）和時鐘（clock）開啟CKE信號，操作像SDRAM。

• 如果晶片被激活（active），它凍結（freeze）到位。


• 如果該命令是一個NOP（CS低或CA0 - 2 = HHH），晶片空閒。


• 如果該命令是一個更新命令（CA0 - 2 = LLH），晶片進入自更新狀態。


• 如果該命令是一個突發終止（CA0 - 2 = HHL），晶片進入深斷電狀態。 （完全復位序列時，需要離開。）

LPDDR3

2012年5月，JEDEC公佈JESD209-3低功耗記憶裝置標準。比起LPDDR2，LPDDR3提供更高的數據傳輸速率、更高的頻寬與功率效率。LPDDR3可達到1600 MT/s的數據傳輸速率，並利用關鍵的新技術write-leveling、command/address training、選擇性ODT（On Die Termination）與低I/O電容。LPDDR3支援PoP封裝（package-on-package）與離散封裝兩種形式。

LPDDR4

2013年3月14日，JEDEC固態技術協會舉辦會議，探討未來移動裝置的新標準，如LPDDR4。

注釋

外部連結

• Samsung


• Micron


• Elpida